韩国芯片大厂SK海力士今天宣布，将斥资逾40亿美元在美国打造高带宽内存（HBM）生产基地，预计2029年第3季量产次世代HBM4E芯片。随着AI投资热潮推升HBM需求，SK海力士加速扩大美国布局，盼拉近生产基地与辉达、微软及Alphabet旗下Google等主要客户的距离。

SK海力士在美国印第安纳州西拉菲叶特（West Lafayette）投入逾40亿美元建厂，未来此一位于普渡研究园区（Purdue Research Park）的厂区，将成为美国重要的高带宽内存（HBM）生产基地。

SK海力士执行长郭鲁正（Kwak Noh-Jung）预期新厂区2028年下半年将开始无尘室作业，最终每年能处理数十万片晶圆。

此一新厂区代表SK海力士在美国业务的重大扩展，原因是人工智能投资激增，带动高带宽内存需求。这家芯片制造商希望让生产基地更靠近辉达（Nvidia）、微软（Microsoft）与Alphabet旗下Google等主要客户。

这座厂区将设有次世代HBM封装产线，以及一座人工智能（AI）半导体研发设施。郭鲁正表示，SK海力士的目标是在美国打造先进内存供应链。

HBM是一种特殊内存芯片，透过垂直堆叠芯片来提升资料处理速度并降低耗电量，非常适合应用于AI庞大的运算需求。

HBM芯片与传统内存产品不同，它与AI处理器紧密整合，形成较高的技术门槛，也让供应商掌握更大定价权。内存产业经历近期低迷后，此产品已成为制造商主要的成长动能。

根据市调机构Counterpoint Research，SK海力士今年第1季以营收计算，在全球HBM市占率达58%，远远领先三星电子（Samsung Electronics）与美光科技（Micron Technology），后两者各为21%。

SK海力士主要客户辉达，预测下一财年营收将增加70%，凸显AI运算需求不减，也让投资人对AI支出热潮持续安心。郭鲁正的谈话显示，SK海力士认为内存景气循环，短期内几乎没有反转迹象。

SK海力士预期新厂区与相关供应链投资，将在当地创造约7000个直接、间接就业机会，有助于强化半导体供应链韧性。

美国政府为协助SK海力士，已于2024年12月依“芯片法案”（CHIPS Act）敲定4亿5800万美元补助，以及上限5亿美元贷款。

另外，SK海力士董事会本月稍早核准2031年以前约383亿美元的投资计划，其中韩国芯片制造厂第2阶段扩建约占248亿美元。